Genius IF SDD/ SDD LE
采用二次靶激發(fā)模式的臺(tái)式EDXRF光譜儀
一、 主要特點(diǎn)
(1)、可對(duì)C(6)-Fm(100)(次ppm~100%)進(jìn)行無(wú)損定性、定量分析；
(2)、采用專利WAG(Wide Angle Geometry)技術(shù)，配備8個(gè)二次靶；
(3)、8款管濾光片，更快更精確的測(cè)定微量及痕量元素；
(4)、標(biāo)準(zhǔn)配置硅漂移探測(cè)器SDD，適于高和低原子序數(shù)的元素分析檢測(cè)；
(5)、針對(duì)輕原子序數(shù)元素，可配備分辨率達(dá)123eV的SDD LE探測(cè)器；
(6)、外型堅(jiān)固耐用，適于移動(dòng)實(shí)驗(yàn)室，符合沖擊試驗(yàn)MIL810E規(guī)格；
(7)、檢測(cè)光斑可變，適于不同尺寸和形狀的樣品檢測(cè)；
(8)、配備集成電腦、專業(yè)nEXt＆#8482;分析軟件，操作方便；
二、二次靶激發(fā)技術(shù)介紹
二次靶激發(fā)技術(shù)能最大程度的去除散射背景，提高信噪比，降低檢測(cè)器的檢測(cè)限。如圖，樣品為含少量Cr，Mn，Fe雜質(zhì)的Ni合金。當(dāng)直接激發(fā)時(shí)(綠)，雜質(zhì)元素的吸收信號(hào)被Ni元素的吸收信號(hào)淹沒(méi)；相反，使用Ni二次靶激發(fā)時(shí)，雜質(zhì)元素的吸收信號(hào)被大大加強(qiáng)。
三、主要技術(shù)參數(shù)
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系統(tǒng)規(guī)格 |
SDD 版本 |
SDD LE |
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測(cè)量范圍 |
F(9) - Fm(100) |
C(6) - Fm(100) |
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測(cè)量濃度 |
次 ppm -100% |
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X-射線管靶材 |
Rh靶 |
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X-射線管電壓/功率 |
50kV, 50W |
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激發(fā)類型 |
直接激發(fā)和二次靶激發(fā) |
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探測(cè)器 |
硅漂移探測(cè)器SDD |
超級(jí) SDD |
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分辨率(FWHM) |
129eV ± 5eV |
123eV ± 5eV |
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自動(dòng)進(jìn)樣器 |
8位 |
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工作環(huán)境 |
空氣/真空/氦氣 |
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管濾光片 |
8款軟件可選 |
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二次靶 |
8種 |
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操作軟件 |
nEXt＆#8482;分析包(包含基礎(chǔ)基本參數(shù)法) |
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選配件 |
16位自動(dòng)進(jìn)樣器、專業(yè)基本參數(shù)法、真空泵、氦氣凈化器等 |
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